Framleiðandi Vöru númer:
SI5471DC-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI5471DC-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Birgðir:
16150 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12912688
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI5471DC-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2945 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
1206-8 ChipFET™
Pakki / hulstur
8-SMD, Flat Lead
Grunnvörunúmer
SI5471
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI5471DC-T1-GE3TR
SI5471DCT1GE3
SI5471DC-T1-GE3DKR
SI5471DC-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BVSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
SI4874BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
SI1013R-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A