Framleiðandi Vöru númer:
SI4967DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4967DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 12V 2W Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12920062
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4967DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 P-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
-
Rds á (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
55nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
2W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Grunnvörunúmer
SI4967
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI9933CDY-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
26680
HLUTARNÁMR
SI9933CDY-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.18
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7842DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
SI7942DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
SIA913DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
