Framleiðandi Vöru númer:
SI4850BDY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4850BDY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 8.4A (Ta), 11.3A (Tc) 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Birgðir:
3610 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12954547
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4850BDY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
790 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SO
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4850
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4850BDY-T1-GE3DKR
SI4850BDY-T1-GE3TR
SI4850BDY-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFP254
MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
2SK3092-TL-E
NCH 15V DRIVE SERIES
MSC015SMA070B4
TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4
