SI4833ADY-T1-E3
Framleiðandi Vöru númer:

SI4833ADY-T1-E3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI4833ADY-T1-E3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 4.6A (Tc) 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Birgðir:

12913374
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI4833ADY-T1-E3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
LITTLE FOOT®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
750 pF @ 15 V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Isolated)
Afl leiðni (hámark)
1.93W (Ta), 2.75W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4833

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4833ADYT1E3
SI4833ADY-T1-E3CT
SI4833ADY-T1-E3DKR
SI4833ADY-T1-E3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI4154DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

vishay-siliconix

IRF9Z34STRRPBF

MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

vishay-siliconix

IRFPF40PBF

MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3

vishay-siliconix

SI3407DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP