Framleiðandi Vöru númer:
SI4825DDY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4825DDY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 14.9A (Tc) 2.7W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
26641 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12911937
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4825DDY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2550 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.7W (Ta), 5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4825
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4825DDY-T1-GE3TR
SI4825DDY-T1-GE3CT
SI4825DDY-T1-GE3DKR
SI4825DDY-T1-GE3-DG
SI4825DDYT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF720
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
IRFD120
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
IXFQ14N80P
MOSFET N-CH 800V 14A TO3P
