Framleiðandi Vöru númer:
SI4800BDY-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4800BDY-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
4805 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918549
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4800BDY-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±25V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.3W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4800
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4800BDY-T1-E3CT
SI4800BDY-T1-E3TR
SI4800BDYT1E3
SI4800BDY-T1-E3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIJ458DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI4386DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
2SK4066-E
MOSFET N-CH 60V 100A SMP
