Framleiðandi Vöru númer:
SI4464DY-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4464DY-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
494 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12912962
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4464DY-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4464
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4464DY-T1-E3TR
SI4464DY-T1-E3CT
SI4464DY-T1-E3DKR
SI4464DYT1E3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF7465TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
19748
HLUTARNÁMR
IRF7465TRPBF-DG
Einingaverð
0.28
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDS2734
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
12237
HLUTARNÁMR
FDS2734-DG
Einingaverð
0.81
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF840LCSTRL
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRFI9634GPBF
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
IRF9630PBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
