Framleiðandi Vöru númer:
SI4447DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4447DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 40 V 3.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
2500 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12912620
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4447DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
805 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4447
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4447DY-T1-GE3CT
SI4447DY-T1-GE3TR
SI4447DY-T1-GE3DKR
SI4447DYT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLI640GPBF
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
IXFZ140N25T
MOSFET N-CH 250V 100A DE475
SI4462DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO
