SI4447DY-T1-E3

Framleiðandi Vöru númer:

SI4447DY-T1-E3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI4447DY-T1-E3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 40 V 3.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Birgðir:

5686 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12915742

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI4447DY-T1-E3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

40 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

3.3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 4.5A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

±16V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

805 pF @ 20 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

1.1W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

8-SOIC

Pakki / hulstur

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Grunnvörunúmer

SI4447

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SI4447DY-T1-E3-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

2,500

Önnur nöfn

SI4447DYT1E3

SI4447DY-T1-E3CT

SI4447DY-T1-E3TR

SI4447DY-T1-E3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SI4838DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 17A 8SO

vishay-siliconix

SI7114DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIA419DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SI4840DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 10A 8SO