Framleiðandi Vöru númer:
SI4174DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4174DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 17A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
16514 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914453
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4174DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
985 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4174
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4174DY-T1-GE3DKR
SI4174DYT1GE3
SI4174DY-T1-GE3-DG
SI4174DY-T1-GE3TR
SI4174DY-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI2319DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
IRFI620GPBF
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
