Framleiðandi Vöru númer:
SI4056DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4056DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 11.1A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
4842 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12917537
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4056DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
900 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4056
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4056DYT1GE3
SI4056DY-T1-GE3TR
SI4056DY-T1-GE3CT
SI4056DY-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BUK6E2R3-40C,127
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
PMT280ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
SI2300DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
