Framleiðandi Vöru númer:
SI3900DV-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI3900DV-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Birgðir:
38761 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12919170
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI3900DV-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
830mW
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Grunnvörunúmer
SI3900
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI3900DV-T1-E3TR
SI3900DVT1E3
SI3900DV-T1-E3DKR
SI3900DV-T1-E3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4569DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
SI4340DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SOIC
SI3586DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
