Framleiðandi Vöru númer:
SI3851DV-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI3851DV-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 1.6A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Birgðir:
12912752
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI3851DV-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
LITTLE FOOT®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
3.6 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Isolated)
Afl leiðni (hámark)
830mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grunnvörunúmer
SI3851
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI3851DV-T1-E3TR
SI3851DVT1E3
SI3851DV-T1-E3CT
SI3851DV-T1-E3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1031R-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
SI4850EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
