Framleiðandi Vöru númer:
SI3590DV-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI3590DV-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Birgðir:
16983 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918065
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
HjzZ
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI3590DV-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
N and P-Channel
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.5A, 1.7A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
830mW
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Grunnvörunúmer
SI3590
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI3590DV-T1-E3CT
SI3590DV-T1-E3TR
SI3590DV-T1-E3DKR
SI3590DVT1E3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQJQ980EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 80V 36A PPAK8X8
SI4816DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC
SI4567DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC
