Framleiðandi Vöru númer:
SI3495DV-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI3495DV-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Birgðir:
12913787
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI3495DV-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
38 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±5V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grunnvörunúmer
SI3495
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI3493BDV-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
15439
HLUTARNÁMR
SI3493BDV-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.28
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDC608PZ
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
8750
HLUTARNÁMR
FDC608PZ-DG
Einingaverð
0.17
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RQ6C065BCTCR
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
RQ6C065BCTCR-DG
Einingaverð
0.24
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR9110TRL
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
IRL630SPBF
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IRFP150PBF
MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3