Framleiðandi Vöru númer:
SI3477DV-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI3477DV-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 12 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Birgðir:
29726 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12913659
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI3477DV-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2600 pF @ 6 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grunnvörunúmer
SI3477
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI3477DV-T1-GE3CT
SI3477DV-T1-GE3DKR
2266-SI3477DV-T1-GE3TR
SI3477DV-T1-GE3TR
SI3477DVT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI5856DC-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8
IRFL210TR
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
SIA477EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
