SI3474DV-T1-BE3

Framleiðandi Vöru númer:

SI3474DV-T1-BE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI3474DV-T1-BE3-DG

Lýsing:

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 100 V 2.8A (Ta), 3.8A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Birgðir:

RFQ á netinu

12977840

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI3474DV-T1-BE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

2.8A (Ta), 3.8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

126mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

10.4 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

196 pF @ 50 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2W (Ta), 3.6W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

6-TSOP

Pakki / hulstur

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

742-SI3474DV-T1-BE3CT

742-SI3474DV-T1-BE3TR

742-SI3474DV-T1-BE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SQJ409EP-T2_GE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHA21N65EF-GE3

N-CHANNEL 600V

diodes

DMP3011SSS-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

vishay-siliconix

SQJ460AEP-T1_BE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET