SI3421DV-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI3421DV-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI3421DV-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Birgðir:

20850 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914508
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI3421DV-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
19.2mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2580 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grunnvörunúmer
SI3421

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Vara teikningar
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI3421DV-T1-GE3DKR
SI3421DV-T1-GE3TR
SI3421DV-T1-GE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI7411DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 7.5A PPAK1212-8

vishay-siliconix

IRFIBC40G

MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3

vishay-siliconix

SI1433DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6

vishay-siliconix

SI3443CDV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP