SI2387DS-T1-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SI2387DS-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI2387DS-T1-GE3-DG

Lýsing:

P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Birgðir:

RFQ á netinu

12959113

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI2387DS-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET® Gen IV

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

80 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

2.1A (Ta), 3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

164mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

10.2 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

395 pF @ 40 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

1.3W (Ta), 2.5W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

SOT-23-3 (TO-236)

Pakki / hulstur

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SI2387DS-T1-GE3-DG

Gagnaplakks

SI2387DS-T1-GE3

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

742-SI2387DS-T1-GE3CT

742-SI2387DS-T1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

IPTC012N08NM5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP

mdd

AO3400-5.8A

MOSFET SOT-23 N Channel 30V

vishay-siliconix

SI4090BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

CP403-CZDM0605N-CT

MOSFET N-CH DIE