Framleiðandi Vöru númer:
SI2369BDS-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI2369BDS-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Birgðir:
30669 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13270160
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI2369BDS-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+16V, -20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
745 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2369
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SI2369BDS-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMT3009UFVW-13
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
SIHD690N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
DMTH6006LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
