Framleiðandi Vöru númer:
SI2367DS-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI2367DS-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Birgðir:
15904 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12915894
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI2367DS-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
561 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2367
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI2367DS-T1-GE3DKR
SI2367DST1GE3
SI2367DS-T1-GE3-DG
SI2367DS-T1-GE3TR
SI2367DS-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI3415A-TP
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
SI1317DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
SI6423DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
