SI2333DS-T1-E3

Framleiðandi Vöru númer:

SI2333DS-T1-E3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI2333DS-T1-E3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 12 V 4.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Birgðir:

55285 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12917771

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI2333DS-T1-E3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

12 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

4.1A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5.3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

18 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

±8V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1100 pF @ 6 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

750mW (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

SOT-23-3 (TO-236)

Pakki / hulstur

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Grunnvörunúmer

SI2333

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SI2333DS-T1-E3-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SI2333DS-T1-E3TR

SI2333DST1E3

SI2333DS-T1-E3DKR

SI2333DS-T1-E3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SI7625DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIRA96DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHFL9110TR-GE3

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

vishay-siliconix

SI3473DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP