SI2324DS-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI2324DS-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI2324DS-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Birgðir:

47703 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12912550
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI2324DS-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
234mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.9V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
190 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2324

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SI2324DS-T1-GE3-DG
Gagnaplakks
SI2324DS-T1-GE3
Gagnablöð
SI2324DS-T1-GE3

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI2324DS-T1-GE3DKR
SI2324DS-T1-GE3CT
SI2324DS-T1-GE3TR
SI2324DS-T1-GE3-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRFI734GPBF

MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220-3

vishay-siliconix

IRFZ34STRLPBF

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

vishay-siliconix

IRFZ10

MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB

vishay-siliconix

IRFU320

MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA