Framleiðandi Vöru númer:
SI2319DS-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI2319DS-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 40 V 2.3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Birgðir:
38002 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12912488
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI2319DS-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
470 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
750mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2319
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI2319DST1E3
SI2319DS-T1-E3TR
SI2319DS-T1-E3DKR
SI2319DS-T1-E3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXFE48N50QD3
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
SI7884BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
SI3410DV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
