Framleiðandi Vöru númer:
SI2308BDS-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI2308BDS-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Birgðir:
54832 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12913799
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI2308BDS-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
190 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2308
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI2308BDST1GE3
SI2308BDS-T1-GE3TR
SI2308BDS-T1-GE3CT
SI2308BDS-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTH180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
IRLR014TRL
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
SI1473DH-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
