SI2308BDS-T1-BE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI2308BDS-T1-BE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI2308BDS-T1-BE3-DG

Lýsing:

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 1.9A (Ta), 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Birgðir:

2220 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12977884
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI2308BDS-T1-BE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
190 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SI2308BDS-T1-BE3DKR
742-SI2308BDS-T1-BE3CT
742-SI2308BDS-T1-BE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQJA88EP-T1_BE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHB30N60ET1-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SIDR680DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJ464EP-T1_BE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET