SI1913DH-T1-E3
Framleiðandi Vöru númer:

SI1913DH-T1-E3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI1913DH-T1-E3-DG

Lýsing:

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 880mA 570mW Surface Mount SC-70-6

Birgðir:

12955057
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI1913DH-T1-E3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 P-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
880mA
Rds á (Max) @ Id, Vgs
490mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
570mW
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Birgir tæki pakki
SC-70-6
Grunnvörunúmer
SI1913

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1913DH-T1-E3DKR
SI1913DH-T1-E3CT
SI1913DH-T1-E3TR
SI1913DHT1E3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
NTJD4152PT1G
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
15411
HLUTARNÁMR
NTJD4152PT1G-DG
Einingaverð
0.10
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDG6304P
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
6300
HLUTARNÁMR
FDG6304P-DG
Einingaverð
0.15
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
taiwan-semiconductor

TQM110NB04DCR RLG

MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU

vishay-siliconix

SI7925DN-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A PPAK 1212

onsemi

NDS9952A-F011

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC

micro-commercial-components

MCQ6005-TP

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP