Framleiðandi Vöru númer:
SI1470DH-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1470DH-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 5.1A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Birgðir:
12917226
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1470DH-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
510 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SC-70-6
Pakki / hulstur
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Grunnvörunúmer
SI1470
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1470DH-T1-GE3DKR
SI1470DH-T1-GE3TR
SI1470DHT1GE3
SI1470DH-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1021R-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
SI2307BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
SIR808DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
