SI1315DL-T1-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SI1315DL-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI1315DL-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 8V 900MA SOT323

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 8 V 900mA (Tc) 300mW (Ta), 400mW (Tc) Surface Mount SC-70-3

Birgðir:

RFQ á netinu

12915681

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI1315DL-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

-

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

8 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

900mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

336mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

3.4 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

±8V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

112 pF @ 4 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

300mW (Ta), 400mW (Tc)

Hitastig rekstrar

-50°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

SC-70-3

Pakki / hulstur

SC-70, SOT-323

Grunnvörunúmer

SI1315

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SI1315DL-T1-GE3-DG

SI1315DL-T1-GE3TR

SI1315DL-T1-GE3DKR

SI1315DL-T1-GE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SI4486EY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO

nexperia

BUK7660-100A,118

MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK

vishay-siliconix

SI7852DP-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

SQJ410EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8