Framleiðandi Vöru númer:
SI1077X-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1077X-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V SC89-6
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 1.75A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Birgðir:
15055 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12917367
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1077X-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.75A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
31.1 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
965 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
330mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SC-89 (SOT-563F)
Pakki / hulstur
SOT-563, SOT-666
Grunnvörunúmer
SI1077
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1077X-T1-GE3TR
SI1077X-T1-GE3DKR
SI1077X-T1-GE3CT
SI1077X-T1-GE3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIRA34DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SUP90220E-GE3
MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
SIHA22N60EL-E3
MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
