Framleiðandi Vöru númer:
SI1065X-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1065X-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 12 V 1.18A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Birgðir:
12919753
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1065X-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.18A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10.8 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
480 pF @ 6 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
236mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SC-89 (SOT-563F)
Pakki / hulstur
SOT-563, SOT-666
Grunnvörunúmer
SI1065
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1065X-T1-GE3DKR
SI1065XT1GE3
SI1065X-T1-GE3TR
SI1065X-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1002R-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
SI4103DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
SIHP7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
