Framleiðandi Vöru númer:
SI1056X-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1056X-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V SC89-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 1.32A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Birgðir:
12914628
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1056X-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.32A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
89mOhm @ 1.32A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
400 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
236mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SC-89 (SOT-563F)
Pakki / hulstur
SOT-563, SOT-666
Grunnvörunúmer
SI1056
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1056X-T1-GE3CT
SI1056XT1GE3
SI1056X-T1-GE3DKR
SI1056X-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI1062X-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
114910
HLUTARNÁMR
SI1062X-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.05
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SSM6K202FE,LF
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
21141
HLUTARNÁMR
SSM6K202FE,LF-DG
Einingaverð
0.12
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFBE30STRR
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
IRFD9123PBF
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
