Framleiðandi Vöru númer:
SI1025X-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1025X-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Birgðir:
12917842
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1025X-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 P-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
190mA
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
1.7nC @ 15V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
23pF @ 25V
Kraftur - hámark
250mW
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-563, SOT-666
Birgir tæki pakki
SC-89 (SOT-563F)
Grunnvörunúmer
SI1025
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1025X-T1-E3CT
SI1025XT1E3
SI1025X-T1-E3TR
SI1025X-T1-E3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI1025X-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
34282
HLUTARNÁMR
SI1025X-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.13
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQ1922AEEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
SI4900DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
SIZF918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR