SI1013X-T1-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SI1013X-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI1013X-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 20 V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

Birgðir:

20598 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12915815

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI1013X-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

20 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

350mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

1.5 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

±6V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

250mW (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

SC-89-3

Pakki / hulstur

SC-89, SOT-490

Grunnvörunúmer

SI1013

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SI1013X-T1-GE3-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SI1013X-T1-GE3TR

SI1013X-T1-GE3DKR

SI1013XT1GE3

SI1013X-T1-GE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SIHG24N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

vishay-siliconix

SQR40N10-25_GE3

MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV

vishay-siliconix

SIR696DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7858ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8