SI1013CX-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI1013CX-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI1013CX-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 450mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

Birgðir:

50167 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914297
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI1013CX-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
450mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
760mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
45 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
190mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SC-89-3
Pakki / hulstur
SC-89, SOT-490
Grunnvörunúmer
SI1013

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SI1013CX-T1-GE3-DG
Gagnaplakks
SI1013CX-T1-GE3
Gagnablöð
SI1013CX-T1-GE3

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1013CX-T1-GE3TR
SI1013CX-T1-GE3DKR
SI1013CX-T1-GE3CT
SI1013CX-T1-GE3-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI7155DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK

vishay-siliconix

SI7370DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI3424CDV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7366DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8