Framleiðandi Vöru númer:
SI1012R-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1012R-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Birgðir:
166982 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12912998
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1012R-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
500mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±6V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SC-75A
Pakki / hulstur
SC-75, SOT-416
Grunnvörunúmer
SI1012
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1012R-T1-GE3DKR
SI1012RT1GE3
SI1012R-T1-GE3TR
SI1012R-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFPF30PBF
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
IRFU9110
MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
IRL630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
