Framleiðandi Vöru númer:
SI1012CR-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1012CR-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V SC75A
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Birgðir:
90108 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12912362
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1012CR-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
630mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
396mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
2 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
43 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
240mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SC-75A
Pakki / hulstur
SC-75, SOT-416
Grunnvörunúmer
SI1012
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1012CR-T1-GE3-DG
SI1012CR-T1-GE3CT
SI1012CR-T1-GE3DKR
SI1012CR-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1467DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
SI7448DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
IRFP22N50A
MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
