SI1011X-T1-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SI1011X-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI1011X-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 12V SC89-3

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 12 V 480mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

Birgðir:

RFQ á netinu

12913409

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI1011X-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

-

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

12 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

480mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

640mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

4 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

±5V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

62 pF @ 6 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

190mW (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

SC-89-3

Pakki / hulstur

SC-89, SOT-490

Grunnvörunúmer

SI1011

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SI1011X-T1-GE3-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SI1011X-T1-GE3DKR

SI1011X-T1-GE3CT

SI1011X-T1-GE3TR

SI1011XT1GE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SI2329DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFBC30ASTRLPBF

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRL530S

MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK

vishay-siliconix

SI4892DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO