Framleiðandi Vöru númer:
IRL630STRRPBF
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRL630STRRPBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12911193
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRL630STRRPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IRL630
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
IRL630STRRPBFCT
IRL630STRRPBFDKR
IRL630STRRPBFTR
IRL630STRRPBF-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RCJ120N20TL
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
33
HLUTARNÁMR
RCJ120N20TL-DG
Einingaverð
0.44
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTY08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
IRLR024PBF
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
