IRFR014PBF-BE3
Framleiðandi Vöru númer:

IRFR014PBF-BE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRFR014PBF-BE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

1980 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12977965
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRFR014PBF-BE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.7A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
300 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IRFR014

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
75
Önnur nöfn
742-IRFR014PBF-BE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K516NU,LF

MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB

rohm-semi

SCT3030AW7TL

SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

genesic-semiconductor

G3R350MT12J

SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

vishay-siliconix

IRF9630PBF-BE3

MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB