Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IRFD110
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRFD110-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Birgðir:
RFQ á netinu
12907942
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFD110 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.3W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
4-HVMDIP
Pakki / hulstur
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Grunnvörunúmer
IRFD110
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IRFD110-DG
Gagnaplakks
IRFD110
Gagnablöð
IRFD110
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
*IRFD110
IRFD111
IRFD112
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFD110PBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
21588
HLUTARNÁMR
IRFD110PBF-DG
Einingaverð
0.57
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
IRFD110
FRAMLEIÐANDI
Harris Corporation
Fjöldi í boði
44368
HLUTARNÁMR
IRFD110-DG
Einingaverð
0.54
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF734PBF
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
IRFPG50
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
IRF9540STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
RSR015P06HZGTL
MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3