Framleiðandi Vöru númer:
IRFBG30PBF-BE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRFBG30PBF-BE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
1589 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12972684
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFBG30PBF-BE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
980 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRFBG30
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
742-IRFBG30PBF-BE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
GPI65005DF
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
PJD2NA90_L2_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
PJF12NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
