Framleiðandi Vöru númer:
IRFBG20PBF-BE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRFBG20PBF-BE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
1770 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12955012
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFBG20PBF-BE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
54W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRFBG20
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
742-IRFBG20PBF-BE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF644L
MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
AON6332
MOSFET N-CH 30V 5X6 DFN
CP775-CWDM3011P-WN
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
