Framleiðandi Vöru númer:
IRFBF30PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRFBF30PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
778 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12911868
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFBF30PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRFBF30
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
*IRFBF30PBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4401BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
IRFS11N50ATRR
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
SI7850DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
