Framleiðandi Vöru númer:
IRFBF30PBF-BE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRFBF30PBF-BE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12977999
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFBF30PBF-BE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRFBF30
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
742-IRFBF30PBF-BE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRL520PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
MSJU11N65A-TP
N-CHANNEL MOSFET, DPAK
SI1401EDH-T1-BE3
MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
