Framleiðandi Vöru númer:
IRFBE20S
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRFBE20S-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12881247
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFBE20S Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
-
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IRFBE20
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
*IRFBE20S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STB7NK80ZT4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
4410
HLUTARNÁMR
STB7NK80ZT4-DG
Einingaverð
1.21
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF9640S
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
STU4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
STL60N10F7
MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT