IRFBC40STRLPBF
Framleiðandi Vöru númer:

IRFBC40STRLPBF

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRFBC40STRLPBF-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

800 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12893390
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRFBC40STRLPBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IRFBC40

Aukainformation

Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
IRFBC40STRLPBFTR
IRFBC40STRLPBFDKR
IRFBC40STRLPBF-DG
IRFBC40STRLPBFCT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
taiwan-semiconductor

TSM220NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN

vishay-siliconix

IRF9610SPBF

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

vishay-siliconix

IRF510STRR

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF840LCSTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB