IRFBC30AS
Framleiðandi Vöru númer:

IRFBC30AS

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRFBC30AS-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

12866922
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRFBC30AS Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
74W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IRFBC30

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
*IRFBC30AS

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
STB6N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
11994
HLUTARNÁMR
STB6N60M2-DG
Einingaverð
0.57
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STB4NK60ZT4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
4369
HLUTARNÁMR
STB4NK60ZT4-DG
Einingaverð
0.77
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IRFBC30ASPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2169
HLUTARNÁMR
IRFBC30ASPBF-DG
Einingaverð
0.83
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRF9530STRL

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK9237-55,118

MOSFET N-CH 55V 32A DPAK

vishay-siliconix

IRFBC20PBF

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB

nxp-semiconductors

BUK7575-55,127

MOSFET N-CH 55V 19.7A TO220AB