IRFBC20PBF-BE3
Framleiðandi Vöru númer:

IRFBC20PBF-BE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRFBC20PBF-BE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

975 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12939407
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRFBC20PBF-BE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
50W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRFBC20

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
Power MOSFET

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
742-IRFBC20PBF-BE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQ2301ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3

vishay-siliconix

IRF740APBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

microchip-technology

MSC035SMA070B4

TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4

vishay-siliconix

IRL640PBF-BE3

MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB