IRF830L

Framleiðandi Vöru númer:

IRF830L

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRF830L-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 500V 4.5A I2PAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK

Birgðir:

RFQ á netinu

12910897

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF830L Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

-

Röð

-

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

500 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

4.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

610 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

I2PAK

Pakki / hulstur

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Grunnvörunúmer

IRF830

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

50

Önnur nöfn

*IRF830L

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

RoHS non-compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer

IRF830LPBF

FRAMLEIÐANDI

Vishay Siliconix

Fjöldi í boði

0

HLUTARNÁMR

IRF830LPBF-DG

Einingaverð

0.99

VÖRUVAL

Parametric Equivalent

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

IRF634

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB

vishay-siliconix

IRFZ24L

MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3

vishay-siliconix

IRLZ14STRLPBF

MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

vishay-siliconix

IRL630STRR

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK